在NAND閃存市場上，三星、東芝、西數(shù)、美光、SK Hynix及英特爾這六家公司占據了絕大多數(shù)份額，不過NAND閃存也是中國近年來發(fā)力追趕的重要領域，尤其是紫光旗下的長江存儲，他們在武漢投資240億美元建設中國最大的存儲芯片基地，今年底量產32層堆棧的64Gb核心閃存。
面對中國廠商在NAND市場上的威脅，這些公司是怎么看的呢?西數(shù)公司日前表態(tài)稱NAND領域技術很難，他們在這方面依然有優(yōu)勢，中國的NAND廠商在2020年之前不會帶來什么有意義的改變。
西數(shù)已經量產了96層堆棧的3D NAND閃存
西數(shù)公司CFO Mark Long上周也出席了花旗銀行2018全球技術大會，并回答了分析師提問，其中就涉及到了西數(shù)如何看待中國廠商進入NAND領域的問題。對于這個問題，Mark Long表示他們非常關注所有的競爭對手，但有一點很清楚，NAND對技術的要求比人們想象中的更難，新進入市場的廠商需要很長時間才能獲得這種能力，他們需要通過回報及工藝進展來證明這項投資的正確。
當中國廠商有能力進入這個市場時，Mark Long認為他們依然是落后的，即便中國廠商有能力提供不斷增長的NAND芯片，西數(shù)在技術上依然會保持優(yōu)勢，同時會通過這個技術優(yōu)勢生產商有優(yōu)勢的產品。
Mark Long提到上述這些都是西數(shù)關注的領域，而中國廠商在2020年之前不太可能的對市場產生什么有意義的變化。
根據長江存儲公司的規(guī)劃，今年底他們將量產32層堆棧的3D NAND閃存，核心容量64GB，明年將量產64層堆棧的128Gb核心的3D NAND閃存，同時還會研發(fā)128層堆棧的3D NAND閃存。但在技術方面，西數(shù)、東芝、美光等公司今年底就要量產96層堆棧的3D NAND閃存了，核心容量提升到了1Tb到1.33Tb，長江存儲的3D NAND閃存在技術上確實要落后兩三年時間。
